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顾书林

顾书林

教授

办公室:唐仲英楼C308
电话:+86 25 83597489
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个人简历:
1993年9月  1995年7月 南京大学物理系 理学博士 1983年9月  1990年7月 南京大学 物理系微电子与固体电子学专业 学士与硕士2001年4月  至今 南京大学物理系,教授 2002年4月  至今 南京大学物理系,博导 1996年4月  2001年3月 南京大学物理系,副教授 1998年7月-2000年5月 美国威斯康辛大学麦迪森分校 访问学者 1992年8月-1996年7月南京大学物理系,讲师 1990年8月  1992年7月南京大学物理系,助教

研究方向:
宽禁带半导体(氧化锌、氮化镓)薄膜材料的外延生长、表征及器件应用

近期代表作:

 Ye JD, Gu SL, Zhu SM, Liu SM, Zheng YD, Zhang R, Shi Y. Fermi-level band filling and band-gap renormalization in ga-doped zno. Applied Physics Letters 2005:86(19) 192111.

W. Liu, S. L. Gu, J.D. Ye, S. M. Zhu, S. M. Liu, X. Zhou, R. Zhang, Y. Shi, Y. D. Zheng, Blue-yellow ZnO homostructural light-emitting diode realized by metalorganic chemical vapor deposition technique, Applied Physics Letters 88, 092101 (2006)

J. D. Ye, S. L. Gu, S. M. Zhu, W. Liu, S. M. Liu, R. Zhang, Y. Shi, and Y. D. Zheng, Electroluminescent and transport mechanisms of n-ZnO/p-Si heterojunctions, Applied Physics Letters 88, 182112 (2006)

J. D. Ye, S. L. Gu, S. M. Zhu, S. M. Liu, Y. D. Zheng, R. Zhang, Y. Shi, Q. Chen, H.Q. Yu, Y. D. Ye, Raman study of lattice dynamic behaviors in phosphorus-doped ZnO films, Applied Physics Letters 88, 101905 (2006)

J. D. Ye, S. L. Gu, W. Liu, S .M. Zhu, R. Zhang, Y. Shi, Y D. Zheng, X. W. Sun, G. Q. Lo, D. L. Kwong, Competitive Adsorption and Two-site Occupation Effects in Metal Organic Chemical Vapor Deposition of ZnO, Applied Physics Letters 90, 174107 (2007)

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最后更新于:2011-05-02 19:31