硅衬底LED技术创新之回顾

LED照明具有重大节能减排价值。现有三条LED照明技术路线，分别是蓝宝石、碳化硅和硅衬底GaN基。其中第三条技术路线是本报告人牵头完成的发明成果。在硅衬底上制备GaN基LED一直是业界梦寐以求的事情。然而由于硅和GaN这两种材料巨大的晶格失配和热失配导致的外延膜龟裂、晶体质量差，以及衬底不透明导致的出光效率低等问题长期未能解决，致使业界普遍认为，在硅衬底上制备高光效GaN基LED是不可能的。该项目经过三千多次实验，攻克了这一世界难题，发明了在材料生长和芯片制造过程中克服巨大张应力的方法、结构和工艺技术，在国际上率先研制成功高内量子效率硅衬底蓝光LED外延材料和高取光效率高可靠性单面出光蓝光LED芯片，并率先实现了产业化。由该成果创建了硅衬底LED芯片制造、器件封装和产品应用企业，推出了30多种产品，形成了硅衬底LED上中下游产业链，产品在通用照明和特种照明中推广应用，较传统光源节电40-90%.　报告人将回顾该技术路线的发展过程，并就技术创新话题谈谈感想。