基于原子层厚度垂直异质结构的磁电特性调控

摘要 (Abstract)近年来，随着二维范德华材料家族的发展, 各种新物理现象不断涌现。其主要优势之一是由于Z轴维度降低，块体对静电屏蔽减弱，从而可以对本征二维半金属或者半导体构建场效应器件，用来做传感器或者逻辑运算器件。本报告将介绍我们近年来在基于石墨烯、氮化硼、硫化钼等二维材料的垂直异质结构的物性调控研究[1-5]。在范德华材料中，少数层磁性二维半导体材料在各领域得到广泛研究，产生了诸多有趣的物理现象。然而，身为半导体磁性材料，基于该系列材料的场效应器件至今研究甚少，尤其缺乏用静电场调制其磁性的研究。基于此，本报告将介绍我们在Cr2Ge2Te6少层铁磁二维半导体中利用静电调控手段，实现对其载流子和自旋双重特性的双极调控[4]。此外，报告还将介绍我们在低维垂直异质器件新结构、新物性调控方面一些最新进展[5]。[1] Z. Han, et al., Nature Physics, 10, 380 (2014). [2] S. Chen, Z. Han (equal contributor), et al., Science, 353, 1522 (2016).[3] X. X. Li, …, Z. Han* , et al., Nature Communications, 8, 970 (2017).[4] Z. Wang, …, Z. Han*, et al., Nature Nanotechnology, 13, 554 (2018).[5] H. W. Wang, et al., to be submitted, (2019).