高存绪 教授
兰州大学物理科学与技术学院
地点：唐仲英楼 A213
时间：2019-03-25 10:00
摘要：单晶无论在科学研究还是器件应用中都占有重要地位。分子束外延技术为高质量单晶材料和器件的获取提供理想平台。单晶材料外延生长的前提条件要求外延材料和衬底的晶格失配较小。对于与衬底晶格失配较大的材料很难实现异质结的外延生长。本报告中，报告人以分子束外延技术为手段，实现了晶格严重失配金属/半导体异质结的外延生长并加以调控。借此，间接调控了金属/半导体异质结的磁结构及其对称性，并将该磁结构体现的相应磁特性作了简单的应用研究。
个人简介： 高存绪，男，兰州大学物理科学与技术学院教授。2000年、2003年分别于兰州大学物理科学与技术学院获学士和硕士学位，2007年于韩国忠南大学获博士学位。2007年至2011年间，于德国Paul-Drude固体电子学研究所做博士后。2011年9月、2017年5月分别被聘为兰州大学物理科学与技术学院副教授、教授。主要从事固体的微结构与磁电性质、室温磁性半导体、反铁磁自旋电子学等方向研究工作。目前已在Physical Review Letters、Small、Physical Review B、Applied Physics Letters等学术刊物上发表SCI论文50余篇，主持国家自然科学基金面上项目2项。